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SiTime硅晶振选型表

发表时间:2018年2月5日 作者:管理员 类目:晶振 浏览:1008
   
普通单端振荡器XO
1-220MHz
高性能、低抖动
<1 ps Phase Jitter
±10ppm
SiT8208(1-80MHz)
SiT8209(80.000001-220 MHz)
低功耗系列
<3.8mA
SiT8008(1-110MHz,最小封装尺寸2.0×1.6mm)
SiT8009(115-137MHz)
业界首款SOT23封装振荡器
成本更低
SiT2001(1-110MHz,SOT23-5封装2.9×2.8mm)
SiT2002(115-137MHz)
RTC时钟32.768KHz
超低功耗,超高精度
典型值0.9uA
±20ppm
SiT1533(2.0×1.2mm,SMD)
SiT1532(1.5×0.8mm,CSP)
SiT1630(2012 SMD,-40~105℃)
业界精度最高32.768K TCXO SiT1552(±5ppm,1.5×0.8mm)
差分振荡器DXO
1-625MHz
LVDS/LVPECL
<1 ps Phase Jitter
±10ppm
SiT9121(1-220MHz,2.25~3.63v)
SiT9122(220.000001-625MHz,最小封装可到3.2×2.5mm)
压控振荡器VCXO
1-625MHz
<1 ps Jitter
LVCMOS/LVTTL
SiT3808(1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm)
SiT3809(80.000001-220 MHz)
<0.75 ps Jitter
LVDS/LVPECL
SiT3821(1-220MHz)
SiT3822(220.000001-625MHz)
抗冲击宽温振荡器
-55℃~125℃,±20ppm
MTBF  13亿小时
AEC-Q100汽车级振荡器
SOT23-5封装
SiT2024(1-110MHz, -40~105℃, -40~125℃)
SiT2025(115.2-137MHz)
AEC-Q100汽车级振荡器
普通SMD封装
SiT8924(1-110MHz, -40~125℃,封装尺寸最小到2.0×1.6mm)
SiT8925(220.000001-625MHz)
50kg冲击军品级振荡器
SOT23-5封装
SiT2020(1-110MHz, -55~125℃)
SiT2021(119.342001-137MHz)
50kg冲击军品级振荡器
标准SMD封装
SiT8920(1-110MHz, -55~125℃,封装尺寸最小到2.0×1.6mm)
SiT8921(119.342001-137MHz)
编程器与FP空白片
任意频率,多种规格
SiT6100DK(SiTime硅晶振编程器套装)
SiT800X/ SiT200X(低功耗可编程晶振空白片,6种封装尺寸)
SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000(低抖动可编程晶振空白片)
SiT912X/ SiT38XX(压控差分可编程晶振空白片,3种封装尺寸)

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